【論文/Paper】 冨岡准教授のナノワイヤFETのスケーリング効果に関する論文がIEEE SNW Technical Digestに掲載されました。

Prof. Tomioka's paper was published on IEEE SNW Technical Digest. Congrats!

Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si


K. Tomioka & J. Motohisa, IEEE SNW Tech. Dig. (2021) pp.51 - 52.




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