【論文/Paper】 冨岡准教授のナノワイヤFETのスケーリング効果に関する論文がIEEE SNW Technical Digestに掲載されました。Prof. Tomioka's paper was published on IEEE SNW Technical Digest. Congrats! Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si K. Tomioka & J. Motohisa, IEEE SNW Tech. Dig. (2021) pp.51 - 52.
Prof. Tomioka's paper was published on IEEE SNW Technical Digest. Congrats! Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si K. Tomioka & J. Motohisa, IEEE SNW Tech. Dig. (2021) pp.51 - 52.
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