【論文/Paper】 冨岡准教授のInGaAs/InP CSナノワイヤ/Si トンネルFETに関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
- Katsuhiro Tomioka
- 2020年9月21日
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更新日：2020年9月25日
Prof. Tomioka' paper regarding VGAA-TFET using InGaAs/InP CS nanowire/Si junction was published in APL.
Appl. Phys. Lett., 117 (2020) pp.123501 - 1~5
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