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【論文/Paper】 蒲生浩憲君(M1)のSi上のInAsナノワイヤ成長と縦型FETに関する論文が​Journal of Crystal Growthに掲載されました !!

  • 執筆者の写真: Katsuhiro Tomioka
    Katsuhiro Tomioka
  • 2018年9月17日
  • 読了時間: 1分

Hironori's paper regarding selective-area growth of InAs nanowires on Si and their vertical FET application was published in J. Cryst. Growth 500 (2018) 58-62 !!

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