Katsuhiro Tomioka's page
​特許登録(国内外)
  1. 安達 定雄、冨岡 克広、「多孔質半導体膜の形成方法、発光素子、および光学センサ」、特許番号第4257431号 (2009年2月13日登録、2004年11月15日出願)

  2. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」特許番号第5464458 (2014年1月31日登録、2011年2月29日出願)

  3. Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui, Tomotaka Tanaka: “Tunnel Field Effect Transistor and Method for Manufacturing Same (トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子)” United States Patent No.8698254 (2014年3月30日登録)

  4. Takashi Fukui, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara: “Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device (半導体装置および半導体装置の製造方法)” United States Patent No. 8816324 (2014年8月24日登録)

  5. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子およびその製造方法」United States Patent No.8895958 (2014年11月25日登録、2010年6月4日出願)

  6. 冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆、「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」、特許番号第5652827号 (2014年11月28日登録、2010年9月29日出願)

  7. 冨岡 克広、福井 孝志、本久 順一、原 真二郎:「半導体構造物の製造方法」特許番号第5655228号(2014年12月5日登録、2008年9月1日出願)

  8. 冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆、「トンネル電界トランジスタおよびその製造方法」中華人民共和国特許登録番号ZL201080043950.2 (2015年1月7日登録、2010年9月29日出願)

  9. 米国特許登録 US Patent 10,403,498 “Group III-V compound semiconductor nanowire, field effect transistor, and switching element” 発明者:冨岡克広、福井孝志

  10. 米国特許登録 US Patent 10,381,489 “Tunnel field effect transistor” 発明者:冨岡克広、福井孝志

  11. 日本国特許登録 6600918「トンネル電界効果トランジスタ」発明者:冨岡克広、福井孝志

​特許出願(国内外)
  1. 冨岡 克広、福井 孝志、本久 順一、原 真二郎:「半導体構造物の製造方法」特願2008-223713 (2008年9月1日出願)

  2. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」特願2009-227564(2009年9月30日出願)

  3. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子および製造方法」特願2009-273561 (2009年12月1日出願)

  4. 本久 順一、原 真二郎、福井 孝志、冨岡 克広:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」特願2010-040019(2010年2月25日出願)

  5. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子およびその製造方法」PCT出願 PCT/JP2010/003762 (2010年6月4日出願)

  6. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子およびその製造方法」欧州出願 10834329.4 (2010年6月4日出願)

  7. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子およびその製造方法」特願2011-544174 (2010年6月4日出願)

  8. 冨岡 克広、福井 孝志:「発光素子およびその製造方法」米国出願13/513082 (2010年6月4日出願)

  9. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」PCT出願PCT/JP2010/005862 (2010年9月29日)

  10. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「PCT出願PCT/JP2010/005862」中国出願201080043950.2 (2010年9月29日)

  11. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」欧州出願10820133.6 (2010年9月29日)

  12. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」特願2011-534074 (2010年9月29日)

  13. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」韓国出願10-2012-7007578 (2010年9月29日)

  14. 冨岡 克広、福井 孝志、田中 智隆:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」米国出願13/499333 (2010年9月29日)

  15. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」PCT出願PCT/JP2011/053909 (2011年2月23日出願)

  16. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」欧州出願11747358.7 (2011年2月23日出願)

  17. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」特願2012-501804 (2011年2月23日出願)

  18. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」米国出願13/581242 (2011年2月23日出願)

  19. 福井 孝志、冨岡 克広、本久 順一、原 真二郎:「半導体装置及び半導体装置の製造方法」台湾出願100106528 (2011年2月23日出願)

  20. 福井 孝志、石坂 文哉、冨岡 克広:「発光素子およびその製造方法」特願2013-138894 (2013年7月2日出願)

  21. 冨岡 克広、福井 孝志:「トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」特願2013-168048 (2013年8月13日出願)

  22. 冨岡 克広、福井 孝志:「III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」特願2013-226675 (2013年10月31日出願)

  23. 冨岡 克広、福井 孝志:「トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」PCT出願PCT/JP2014/004175 (2014年8月12日出願)

  24. 冨岡 克広、福井 孝志:「トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子」台湾出願103127711 (2013年8月13日出願)

  25. 冨岡 克広、福井 孝志:「III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」PCT出願PCT/JP2014/005463 (2014年10月29日出願)

  26. 冨岡 克広、福井 孝志:「III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子」台湾出願103137589 (2014年10月30日出願)

  27. 冨岡 克広、福井  孝志:「トンネル電界効果トランジスタ」特願2015-193196 (2015年9月30 日出願)