Katsuhiro Tomioka's page
​競争的資金
​【科研費】

​研究代表:

  1. 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員奨励費 「有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤへテロ構造作製とその応用に関する研究」 平成19年4月 ~ 平成20年3月 (研究代表者)

  2. 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員奨励費 「有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤへテロ構造作製とその応用に関する研究」 平成20年4月 ~ 平成21年3月 (研究代表者)

  3. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)若手研究(A)「IV族/III-V族ヘテロ接合の界面欠陥制御に基づく低電圧スイッチ素子の回路応用」平成28年4月~平成31年3月 (研究代表者)

  4. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)「Si/III-V異種接合によるナノワイヤ縦型トンネルFET立体集積回路技術の確立」2019年4月~2022年3月 (研究代表者)

  5. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)挑戦的研究(萌芽)「超高速共鳴トンネルトランジスタの開発」2019年6月~2022年3月 (研究代表者)

​研究分担:

  1. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(S)「化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用」平成27年4月~平成28年3月 (研究分担者)

  2. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)萌芽研究「半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器」平成28年4月~平成30年3月(研究分担者)

  3. 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)「半導体ナノワイヤによるSi基板上発光デバイスの研究」平成30年4月~平成32年3月(研究分担者)

​【受託研究費】
  1. 独立行政法人科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業さきがけ 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス領域「Si/III-V族半導体超へテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発」平成21年10月~平成25年3月 (研究代表者)

  2. 独立行政法人科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業さきがけ エネルギー高効率利用と相界面領域「新しい半導体固相界面を用いた新規グリーンデバイスの開発」平成24年10月~平成28年3月 (研究代表者)

​研究助成
  1. 財団法人光科学技術研究振興財団 研究助成「半導体ナノワイヤに形成したコア・シェル量子井戸おける光物性と微小電流注入レーザーへの応用に関する研究」平成21年4月~平成22年3月 (研究代表者)

  2. 日本科学協会 笹川研究助成「Si/III-V族化合物半導体ナノワイヤへテロ接合界面のTEM観察評価とその応用に関する研究」平成21年4月~平成22年3月(研究代表者)

  3. 公益財団法人 村田学術振興財団: 平成28年度 研究助成(自然科学)「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-Vハイブリッド電子デバイスの創成」平成28年6月~平成29年7月 (研究代表者)

  4. 公益財団法人 マツダ財団: 第32回(2016年度)マツダ研究助成「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-Vハイブリッド電子デバイスの創成」平成28年11月~平成29年11月 (研究代表者)

  5. 公益財団法人 カシオ科学振興財団: 第34回(2016年度)研究助成「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子応用と高性能化に関する研究」平成28年12月~平成29年12月 (研究代表者)

  6. 公益財団法人 矢崎科学技術振興記念財団:第34回(2016年度)一般研究助成(新材料)「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用」平成28年3月~平成31年3月(研究代表者)

  7. 一般財団法人 サムコ科学技術振興財団:第1回(2018年度)一般研究助成「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と低電圧電子素子応用」平成28年10月~平成29年10月、総額2,000千円(研究代表者)

  8. 公益財団法人 東電記念財団:平成30年 基礎研究助成「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子の高性能化に関する研究」平成30年4月~平成32年3月 、総額10,000千円(研究代表者)

  9. 一般財団法人テレコム先端技術研究支援センター:平成30年 SCAT研究助成「化合物半導体ナノワイヤによる立体縦型トランジスタ高速CMOS技術の確立」平成30年4月~平成33年3月 、総額2,500千円(研究代表者)

  10. 公益財団法人 旭硝子財団:平成31年 第二分野研究奨励「ナノワイヤトンネル接合による相補型ミリボルトスイッチ集積技術に関する研究」平成31年4月~平成33年3月、総額2,000千円(研究代表者)

  11. キオクシア株式会社受託研究:2019年度「化合物半導体ナノワイヤによる高速縦型トランジスタCMOS回路技術」2019年4月、総額1,000千円(研究代表者)