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研究紹介
有機金属気相成長(MOVPE)法を中心に半導体結晶成長技術を用いて、III-V族化合物半導体ナノ構造、ナノワイヤ材料の開発および集積構造の形成技術、それらを応用した太陽電池や発光ダイオード、トランジスタなど、半導体ナノ構造の物性、幾何的な特徴を活かした新規デバイスの創出と高性能化に挑戦しています。
半導体結晶成長技術を基軸として、次世代集積システムの実現を目指した、新しい集積電子デバイスの基盤技術の研究を進めています。具体的には、以下の3点を主軸に研究を展開します。
(i) 結晶成長の基礎と応用
(ii) 半導体ナノ構造の物性評価
(iii) ナノワイヤなど新材料のデバイス応用
本研究室では、結晶成長技術と選択成長法の基礎を学ぶことで、誰でも半導体ナノワイヤを自在に作れるようになります。まずは、半導体ナノワイヤの作り方を通して、結晶成長・半導体プロセスの基礎を習熟し、ついで、基本に忠実に、独創的で教科書にないデバイスの創出を目指しています。
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![]() ナノ構造結晶成長MOVPE選択成長法 半導体ナノワイヤ成長 | ![]() ナノワイヤ光デバイス1.ナノワイヤLED 2.ナノワイヤフォトダイオード | ![]() 次世代太陽電池ナノワイヤ太陽電池 |
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![]() 次世代トランジスタ1.ナノワイヤFET 2.トンネルFET |