- 2021年6月14日
【論文/Paper】 冨岡准教授のナノワイヤFETのスケーリング効果に関する論文がIEEE SNW Technical Digestに掲載されました。
Prof. Tomioka's paper was published on IEEE SNW Technical Digest. Congrats! Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si K. Tomioka & J. Motohisa, IEEE SNW Tech. Dig. (2021) pp.51 - 52.
- 2021年6月13日
【学会発表/Conference】冨岡准教授がSilicon Nanoelectronics Workshop 2021 (SNW2021, オンライン)にて、論文発表を行ないました
Prof. Tomioka gave an oral presentation in SNW 2021 (Online)!! Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa Program↓ http://annex.jsap.or.jp/snw/SNW2021_Program.pdf
