【論文/Paper】 蒲生君(D1)のSi上のInAs/InPコアシェルナノワイヤの縦型トランジスタに関する論文がIEEE Electron Device Letterに掲載されました。

Hironori's research on VGAA-FET using InAs/InP core-shell nanowires on Si was published on Early access in IEEE EDL. Congrats.

Integration of Indium Arsenide/Indium Phosphide Core-Shell Nanowire Vertical Gate-All-Around Field-Effect Transistors on Si

10.1109/LED.2020.3004157