top of page

【論文/Paper】 谷山君(M1)のSOI上のInGaAsナノワイヤ縦型TFETに関する論文がJpn. J. Appl. Phys.に掲載されました!

  • 執筆者の写真: Katsuhiro Tomioka
    Katsuhiro Tomioka
  • 4月28日
  • 読了時間: 1分

Keita's paper regarding InGaAs VGAA-TFET on SOI was published in Jpn. J. Appl. Phys. 64 (2025) 04SP62 !! Congrats!!


Paper Link ↓


Origin of performance degradation in vertical gate-all-around transistors using vertical InGaAs nanowires on SOI(111) substrates

Keita Taniyama, Yuki Takeda, Yuki Azuma, Ziye Zheng and Katsuhiro Tomioka

Published 28 April 2025 • © 2025 The Author(s). Published on behalf of The Japan Society of Applied Physics by IOP Publishing LtdJapanese Journal of Applied Physics, Volume 64, Number 4 Citation Keita Taniyama et al 2025 Jpn. J. Appl. Phys. 64 04SP62DOI 10.35848/1347-4065/adc464

ree





 
 
 

コメント


特集記事
最新記事
アーカイブ
タグから検索
ソーシャルメディア
  • Facebook Basic Square
  • Twitter Basic Square
  • Google+ Basic Square

© 2023 by Coach.Corp. Proudly created with Wix.com

bottom of page